En plena crisis de la RAM, Intel contraataca con ZAM. Es el chip para romper la hegemonía surcoreana

Intel está realizando un movimiento estratégico para desafiar el dominio surcoreano en el mercado de memoria de alto ancho de banda (HBM) con su nueva tecnología de memoria ZAM. Este desarrollo señala la ambición de Intel de recuperar cuota de mercado e influencia en el crucial sector de la memoria, especialmente a medida que la industria se enfrenta a escasez de RAM. La introducción de ZAM tiene como objetivo interrumpir la posición afianzada de los fabricantes surcoreanos, en particular Samsung y SK Hynix. La innovación central de ZAM reside en su arquitectura tridimensional, una desviación de los diseños de memoria bidimensionales tradicionales. Este enfoque de "eje Z" permite una mayor densidad y un acceso a datos potencialmente más rápido, abordando la creciente demanda de memoria de alto rendimiento en centros de datos y aplicaciones de IA. SAIMEMORY, una colaboración entre SoftBank e Intel, está liderando el desarrollo y la implementación de esta nueva tecnología de memoria. Este avance tiene implicaciones significativas para el panorama mundial de semiconductores y la infraestructura de centros de datos. Al ofrecer una alternativa competitiva a las soluciones HBM existentes, Intel tiene como objetivo diversificar las cadenas de suministro y potencialmente influir en los precios y la disponibilidad. El éxito de ZAM podría permitir a los centros de datos con sede en Europa y Estados Unidos reducir la dependencia de proveedores asiáticos específicos, contribuyendo a un objetivo más amplio de soberanía digital en sectores tecnológicos críticos.