Nel pieno della crisi della RAM, Intel contrattacca con ZAM. È il chip per rompere l'egemonia sudcoreana

Intel sta effettuando una mossa strategica per sfidare il dominio sudcoreano nel mercato della memoria ad alta larghezza di banda (HBM) con la sua nuova tecnologia di memoria ZAM. Questo sviluppo segnala l'ambizione di Intel di riconquistare quote di mercato e influenza nel cruciale settore della memoria, soprattutto mentre l'industria affronta carenze di RAM. L'introduzione di ZAM mira a interrompere la posizione consolidata dei produttori sudcoreani, in particolare Samsung e SK Hynix. L'innovazione principale di ZAM risiede nella sua architettura tridimensionale, una deviazione dai tradizionali design di memoria bidimensionali. Questo approccio "asse Z" consente una maggiore densità e un accesso ai dati potenzialmente più veloce, rispondendo alla crescente domanda di memoria ad alte prestazioni nei data center e nelle applicazioni AI. SAIMEMORY, una collaborazione tra SoftBank e Intel, sta guidando lo sviluppo e il dispiegamento di questa nuova tecnologia di memoria. Questo progresso ha implicazioni significative per il panorama globale dei semiconduttori e l'infrastruttura dei data center. Offrendo un'alternativa competitiva alle soluzioni HBM esistenti, Intel mira a diversificare le catene di approvvigionamento e influenzare potenzialmente prezzi e disponibilità. Il successo di ZAM potrebbe consentire ai data center europei e statunitensi di ridurre la dipendenza da specifici fornitori asiatici, contribuendo a un obiettivo più ampio di sovranità digitale nei settori tecnologici critici.