En pleine crise de la RAM, Intel contre-attaque avec ZAM. C'est la puce pour briser l'hégémonie sud-coréenne

Intel procède à une manœuvre stratégique visant à contester la domination sud-coréenne sur le marché de la mémoire à large bande passante (HBM) grâce à sa nouvelle technologie de mémoire ZAM. Ce développement témoigne de l'ambition d'Intel de retrouver des parts de marché et d'exercer une influence dans le secteur crucial de la mémoire, d'autant plus que l'industrie est confrontée à des pénuries de RAM. L'introduction de ZAM vise à perturber la position bien établie des fabricants sud-coréens, notamment Samsung et SK Hynix. L'innovation principale de ZAM réside dans son architecture tridimensionnelle, qui s'écarte des conceptions de mémoire bidimensionnelles traditionnelles. Cette approche dite "en axe Z" permet une densité accrue et un accès aux données potentiellement plus rapide, répondant à la demande croissante de mémoire haute performance dans les centres de données et les applications d'IA. SAIMEMORY, une collaboration entre SoftBank et Intel, est à la tête du développement et du déploiement de cette nouvelle technologie de mémoire. Cette avancée a des implications significatives pour le paysage mondial des semi-conducteurs et l'infrastructure des centres de données. En offrant une alternative compétitive aux solutions HBM existantes, Intel vise à diversifier les chaînes d'approvisionnement et potentiellement à influencer les prix et la disponibilité. Le succès de ZAM pourrait permettre aux centres de données basés en Europe et aux États-Unis de réduire leur dépendance à l'égard de certains fournisseurs asiatiques, contribuant ainsi à un objectif plus large de souveraineté numérique dans les secteurs technologiques critiques.