Inmitten der RAM-Krise schlägt Intel mit ZAM zurück. Es ist der Chip, um die südkoreanische Hegemonie zu brechen

Intel unternimmt einen strategischen Schritt, um die südkoreanische Dominanz im Markt für Hochbandbreitenspeicher (HBM) mit seiner neuen ZAM-Speichertechnologie herauszufordern. Diese Entwicklung signalisiert Intels Bestreben, Marktanteile und Einfluss im entscheidenden Speichermarkt zurückzugewinnen, insbesondere angesichts der RAM-Knappheit in der Branche. Die Einführung von ZAM zielt darauf ab, die etablierte Position südkoreanischer Hersteller, insbesondere Samsung und SK Hynix, zu stören. Die Kerninnovation von ZAM liegt in seiner dreidimensionalen Architektur, die von traditionellen zweidimensionalen Speicherdesigns abweicht. Dieser "Z-Achsen"-Ansatz ermöglicht eine höhere Dichte und potenziell einen schnelleren Datenzugriff und adressiert damit die wachsende Nachfrage nach Hochleistungsspeichern in Rechenzentren und KI-Anwendungen. SAIMEMORY, eine Zusammenarbeit zwischen SoftBank und Intel, treibt die Entwicklung und Einführung dieser neuen Speichertechnologie voran. Dieser Fortschritt hat erhebliche Auswirkungen auf die globale Halbleiterlandschaft und die Rechenzentrumsinfrastruktur. Durch das Angebot einer wettbewerbsfähigen Alternative zu bestehenden HBM-Lösungen will Intel die Lieferketten diversifizieren und potenziell Preise und Verfügbarkeit beeinflussen. Der Erfolg von ZAM könnte europäischen und US-amerikanischen Rechenzentren ermöglichen, ihre Abhängigkeit von bestimmten asiatischen Lieferanten zu verringern und so zu einem breiteren Ziel der digitalen Souveränität in kritischen Technologiesektoren beizutragen.